Weiterbildung in Mikroskopie und Mikrobereichsanalyse für die praktische Anwendung

Anwendungsspezifische Schulung
für Personen, die in Unternehmen mit Fertigung, Qualitätssicherung und Produktentwicklung befasst sind.

Ziel:
Den Blick für das technisch Machbare in Bezug auf moderne Verfahren der Mikroskopie, der Bildverarbeitung sowie der chemischen Mikrobereichsanalyse zu schärfen.

Die Weiterbildung erfolgt in kleinen Gruppen und kann sehr anwendungsspezifisch durchgeführt werden.

Termin erfolgt nach Vereinbarung mit den Unternehmen (es gibt keine festen Termine)

Leiter: Prof. Dr. rer. nat. Stefan Trapp
Tel.: 06782/ 17-15 16
E-Mail: s.trapp@umwelt-campus.de

Veranstaltungsort:
Umwelt-Campus Birkenfeld
Campusallee, Gebäude 9916, Raum 105
D-55768 Hoppstädten-Weiersbach

korngroessenbest_thumbBestimmung der mittleren Korngröße im Digital- ( Licht)-Mikroskop
Stahl, 1.4301, Schleifen, Polieren, Ätzen; Auszählen der Körner.
Bestimmung der Kennzahl nach ASTM.

organische_substanz_thumbTrägerstoff für ein Enzym, organische Substanz: Trägermaterial und Wirkstoff, ummantelt.

REM Jeol 6610
SE

geschliffene_oberflaeche_thumbGeschliffene und polierte Oberfläche; Schaden durch Grobkorn.
Stahl 1.4301

REM Jeol 6610
Sekundärelektronendetektor

chem_analyse_thumb

Qualitative chemische Analyse mittels EDX. Im Rissgrund kann Aluminium und Sauerstoff nachgewiesen werden. Der Riss ist wahrscheinlich durch ein grobes Korundkorn entstanden.

REM Jeol 6610
Energiedispersive Röntgenstrahlanalyse

galvanische_kombischicht_thumbKugelfallversuch auf eine galvanische Kombinationsschicht. Der Eindruck der Kugel ist deutlich erkennbar.

kugelfallversuch_thumb_pfeil

Kugelfallversuch Zielpräparation:

Grundmaterial Stahl
Verbindungsschicht
Sperrschicht
Reale Oberfläche, Funktionsschicht (Riss deutlich erkennbar, dieser endet an der Verbindungsschicht – kein Durchstoßen zum Grundmaterial)

Querschliff durch den Kugeleindruck; Schleifen, Polieren konventionell, Präparation durch Ionenbeschuss – damit werden kleinste Risse in der Oberfläche sichtbar. Ansicht: Probe 45° gekippt Rasterelektronenmikroskop Jeol 6610 Rückstreuelektronen